- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H10B 43/10
Brevets de cette classe: 529
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
132 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
113 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
55 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
53 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
49 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
36 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
17 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
15 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
14 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
7 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
5 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
4 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
4 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
3 |
| eMemory Technology Inc. | 358 |
3 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
3 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
2 |
| Lam Research Corporation | 4775 |
2 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 30585 |
1 |
| Canon Inc. | 36841 |
1 |
| Autres propriétaires | 10 |